[发明专利]图像传感器制造方法以及图像传感器

摘要

本发明提供了一种图像传感器制造方法以及图像传感器。根据本发明的图像传感器制造方法包括：浮置扩散区及栅极形成步骤，用于在衬底的表面区域形成浮置扩散区，并且随后在衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；第一注入步骤，用于利用图案化的光刻胶以及栅极的组合来执行第一次离子注入，从而在所述衬底内部形成感光二极管区，其中所述图案化的光刻胶部分地覆盖所述栅极，并且其中离子注入的方向垂直于所述衬底的表面；以及第二注入步骤，用于利用所述图案化的光刻胶来执行第二次离子注入，从而在所述衬底的表面区域形成感光二极管区表面P型掺杂层，其中离子注入的方向不垂直于所述衬底的表面。此方法可以节约掩模板，降低生产成本。

主权项

一种图像传感器制造方法，其特征在于包括：浮置扩散区及栅极形成步骤，用于在衬底的表面区域形成浮置扩散区，并且随后在衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；第一注入步骤，用于利用图案化的光刻胶以及栅极的组合来执行第一次离子注入，从而在所述衬底内部形成感光二极管区，其中所述图案化的光刻胶部分地覆盖所述栅极，并且其中离子注入的方向垂直于所述衬底的表面；以及第二注入步骤，用于利用所述图案化的光刻胶来执行第二次离子注入，从而在所述衬底的表面区域形成感光二极管区表面P型掺杂层，其中离子注入的方向不垂直于所述衬底的表面，而是朝向栅极方向倾斜。