[发明专利]图像传感器制造方法以及图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器制造方法，其特征在于包括：

浮置扩散区及栅极形成步骤，用于在衬底的表面区域形成浮置扩散区，并且随后在衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；

第一注入步骤，用于利用图案化的光刻胶以及栅极的组合来执行第一次离子注入，从而在所述衬底内部形成感光二极管区，其中所述图案化的光刻胶部分地覆盖所述栅极，并且其中离子注入的方向垂直于所述衬底的表面；以及

第二注入步骤，用于利用所述图案化的光刻胶来执行第二次离子注入，从而在所述衬底的表面区域形成感光二极管区表面P型掺杂层，其中离子注入的方向不垂直于所述衬底的表面，而是朝向栅极方向倾斜。

2.根据权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于，在所述第二注入步骤中，根据所述感光二极管区表面P型掺杂层在所述衬底的表面区域的期望位置、以及所述图案化的光刻胶相对于所述期望位置的定位来调节所述第二注入步骤中注入离子朝向栅极方向的倾斜角度；利用光刻胶和栅极的阻挡，使注入区域离栅极一定距离，避免在电子传输过程中产生势垒。

3.根据权利要求1所述的图像传感器制造方法，其特征在于还包括：

光刻胶去除，用于去除所述图案化的光刻胶；

栅极侧壁形成步骤，用于形成在栅极氧化层和栅极多晶硅的侧部形成栅极侧壁；以及

阱区掺杂形成步骤，用于在浮置扩散区中形成阱区掺杂，从而将浮置扩散区分为阱区掺杂与源极掺杂。

4.一种图像传感器制造方法，其特征在于包括：

浮置扩散区及栅极形成步骤，用于在衬底的表面区域形成浮置扩散区，并且随后在衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；

第一注入步骤，用于利用图案化的光刻胶以及栅极的组合来执行第一次离子注入，从而在所述衬底内部形成感光二极管区，其中所述图案化的光刻胶部分地覆盖所述栅极，并且其中离子注入的方向垂直于所述衬底的表面；以及

第二注入步骤，用于利用所述图案化的光刻胶和所述栅极的组合来执行第二次离子注入，从而在所述衬底的表面区域形成感光二极管区表面P型掺杂层，其中离子注入的方向不垂直于所述衬底的表面，而是朝向栅极方向倾斜。

5.根据权利要求4所述的图像传感器制造方法，其特征在于，在所述第二注入步骤中，根据感光二极管区表面P型掺杂层在所述衬底的表面区域的期望位置、所述图案化的光刻胶相对于所述期望位置的定位、以及栅极的上表面相对于所述期望位置的定位来调节所述第二注入步骤中注入离子朝向栅极方向的倾斜角度，从而利用光刻胶和栅极的阻挡，使注入区域离栅极一定距离，避免在电子传输过程中产生势垒。

6.根据权利要求4或5所述的图像传感器制造方法，其特征在于还包括：

光刻胶去除，用于去除所述图案化的光刻胶；

栅极侧壁形成步骤，用于形成在栅极氧化层和栅极多晶硅的侧部形成栅极侧壁；以及

阱区掺杂形成步骤，用于在浮置扩散区中形成阱区掺杂，从而将浮置扩散区分为阱区掺杂与源极掺杂。

7.一种通过根据权利要求1至6之一所述的图像传感器制造方法制成的图像传感器。