[发明专利]一种电阻型存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201210311116.8 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103633243A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;刘明;刘琦;李颖弢;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明公开了一种电阻型存储器的制备方法，包括：对开孔而暴露的下电极进行高温退火，使其表面析出纳米颗粒；在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极；以及图形化上电极和阻变材料层。本发明提供的这种电阻型存储器的制备方法，通过在Cu下电极表面形成突触颗粒，由于存在局部电场增强效应，在存储介质中发生电阻转变时，导电通道会优先在突触颗粒上方形成，有效的消除器件的激活电压、提高器件产率、减小器件参数的离散性。采用该方法制备的CuxO基电阻型存储器具有制作成本低、效果好、易与CMOS工艺集成的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括：对开孔而暴露的下电极进行高温退火，使其表面析出纳米颗粒；在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极；以及图形化上电极和阻变材料层。
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