[发明专利]一种电阻型存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201210311116.8 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103633243A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;刘明;刘琦;李颖弢;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 存储器 制备 方法 | ||
1.一种电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括：
对开孔而暴露的下电极进行高温退火，使其表面析出纳米颗粒；
在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极；以及
图形化上电极和阻变材料层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述对开孔而暴露的下电极进行高温退火之前还包括：开孔以暴露下电极。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述开孔以暴露下电极之后还包括：对开孔而暴露的下电极进行预氧化处理。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预氧化处理为等离子体氧化、热氧化或氧离子注入方法。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极为金属Cu。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对开孔的下电极进行高温退火的步骤中，高温退火温度为100℃～450℃，时间为1秒～1小时，高温退火氛围为真空、高纯Ar或高纯N2。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极的步骤中，阻变存储介质是以HfO，ZrO，CuO，AlO，TiO，TaO，WO，MnO，NiO，SiO，MgO，FeO，PCMO或STO为基体的材料，或者是HfO，ZrO，CuO，AlO，TiO，TaO，WO，MnO，NiO，SiO，MgO，FeO，PCMO或STO中任意两种或三种构成的双层或多层复合层材料。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极的步骤中，阻变存储介质的厚度为1nm～500nm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极的步骤中，阻变存储介质是通过电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、氧化、原子层沉积、旋涂或溅射方法中的一种制备的。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极的步骤中，上电极材料是由单质Cu、Au、Ag、Pt、Ru、Ti、Ta、Pb、Co、Mo、Ir、Ni，或导电金属化合物TiN、TaN、IrO2、ITO、IZO中至少一种构成。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极的步骤中，上电极材料是通过电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或溅射方法中的一种制备的。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极的步骤中，上电极材料的厚度为1nm～500nm。
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