[发明专利]成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置有效
申请号: | 201210307203.6 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102953052A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 加藤寿;小林健;牛窪繁博;相川胜芳 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/455;H01L21/31;H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括:真空容器,其用于容纳基板;载置台;等离子体产生气体供给部;天线,其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化,绕纵向的轴线卷绕而成;法拉第屏蔽件,其用于阻止在天线的周围产生的电磁场中的电场成分通过,由接地的导电性的板状体构成,法拉第屏蔽件包括:狭缝组,其用于使电磁场中的磁场成分通过而到达基板侧;窗部,其在板状体的被狭缝组包围的区域开口,用于确认等离子体的发光状态,在窗部与狭缝组之间,以该窗部与狭缝不连通的方式设有包围窗部的、接地的导电通路,在狭缝组的与窗部侧相反的一侧的端部,以包围该狭缝组的方式设有接地的导电通路。 | ||
搜索关键词: | 装置 处理 等离子体 产生 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其在真空容器内进行多次按顺序供给第一处理气体和第二处理气体的循环而对基板进行成膜处理,其特征在于,该成膜装置包括:旋转台(2),在其一个面侧形成有用于载置基板的基板载置区域(24),该旋转台(2)能够使上述基板载置区域在上述真空容器(1)内公转;第一处理气体供给部(31)和第二处理气体供给部(32),其用于向在该旋转台的周向上彼此借助分离区域而分开的区域分别供给第一处理气体和第二处理气体;等离子体产生气体供给部(34),其为了对基板(W)进行等离子体处理而向上述真空容器内供给等离子体产生用气体;天线(83),为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化,该天线(83)以与上述基板载置区域(24)相对的方式设置且以绕纵向的轴线进行卷绕而成;法拉第屏蔽件(95),为了阻止在上述天线(83)的周围产生的电场和磁场中的电场成分通过,该法拉第屏蔽件(95)以介于上述天线(83)与基板(W)之间的方式设置且由接地的导电性的板状体构成,上述法拉第屏蔽件(95)包括:狭缝(97),为了使在上述天线的周围产生的电场和磁场中的磁场成分通过而到达基板侧,该狭缝(97)形成于上述板状体(95x),该狭缝(97)分别在与上述天线(83)的卷绕方向正交的方向上延伸,并且沿该天线的卷绕方向排列;窗部(98),其在上述板状体(95x)中的被上述狭缝(97)包围的区域开口,用于确认等离子体的发光状态,在上述窗部与上述狭缝(97)之间,以包围上述窗部(98) 的方式设有接地的导电通路(97a),使该窗部与上述狭缝不连通,在上述狭缝(97)的与上述窗部侧相反的一侧的端部,以包围该狭缝(97)的方式设有接地的导电通路(97a)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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