[发明专利]成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给第一处理气体和第二处理气体的循环而对基板进行成膜处理，其特征在于，该成膜装置包括：

旋转台（2），在其一个面侧形成有用于载置基板的基板载置区域（24），该旋转台（2）能够使上述基板载置区域在上述真空容器（1）内公转；

第一处理气体供给部（31）和第二处理气体供给部（32），其用于向在该旋转台的周向上彼此借助分离区域而分开的区域分别供给第一处理气体和第二处理气体；

等离子体产生气体供给部（34），其为了对基板（W）进行等离子体处理而向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；

天线（83），为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，该天线（83）以与上述基板载置区域（24）相对的方式设置且以绕纵向的轴线进行卷绕而成；

法拉第屏蔽件（95），为了阻止在上述天线（83）的周围产生的电场和磁场中的电场成分通过，该法拉第屏蔽件（95）以介于上述天线（83）与基板（W）之间的方式设置且由接地的导电性的板状体构成，

上述法拉第屏蔽件（95）包括：

狭缝（97），为了使在上述天线的周围产生的电场和磁场中的磁场成分通过而到达基板侧，该狭缝（97）形成于上述板状体（95x），该狭缝（97）分别在与上述天线（83）的卷绕方向正交的方向上延伸，并且沿该天线的卷绕方向排列；

窗部（98），其在上述板状体（95x）中的被上述狭缝（97）包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，

在上述窗部与上述狭缝（97）之间，以包围上述窗部（98）的方式设有接地的导电通路（97a），使该窗部与上述狭缝不连通，

在上述狭缝（97）的与上述窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝（97）的方式设有接地的导电通路（97a）。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述天线（83）以包围上述窗部（98）的方式配置。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述天线（83）和上述法拉第屏蔽件（95）由电介体从进行等离子体处理的区域被气密地划分出来。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述第一处理气体是含Si气体。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述第二处理气体是O₂气体。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

上述等离子体产生用气体是Ar气体和O₂气体的混合气体。

7.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：

真空容器（1），其用于容纳基板（W）；

载置台（2），在其一个面侧形成有用于载置基板（W）的基板载置区域（24）；

等离子体产生气体供给部（34），其为了对基板进行等离子体处理而向上述真空容器（1）内供给等离子体产生用气体；

天线（83），为了利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，该天线（83）以与上述基板载置区域（24）相对的方式设置且以绕纵向的轴线进行卷绕而成；

法拉第屏蔽件（95），为了阻止在上述天线（83）的周围产生的电场和磁场中的电场成分通过，该法拉第屏蔽件（95）以介于上述天线（83）与基板（W）之间的方式设置且由接地的导电性的板状体构成，

上述法拉第屏蔽件（95）包括：

狭缝，为了使在上述天线的周围产生的电场和磁场中的磁场成分通过而到达基板侧，该狭缝形成于上述板状体上，该狭缝分别在与上述天线（83）的卷绕方向正交的方向上延伸，并且沿该天线的卷绕方向排列；

窗部（98），其在上述板状体上的被上述狭缝包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，

在上述窗部与上述狭缝（97）之间，以包围上述窗部（98）的方式设有接地的导电通路，使该窗部与上述狭缝不连通，

在上述狭缝的与上述窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝（97）的方式设有接地的导电通路。

8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

上述等离子体产生用气体是Ar气体和O₂气体的混合气体。