[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210303540.8 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632971A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在其上依次形成一氧化硅层和一氮化硅层；蚀刻所述氮化硅层和所述氧化硅层，形成一虚拟栅极结构；执行一低掺杂离子注入，形成未激活的低掺杂源/漏区；执行一袋状区离子注入，形成未激活的袋状区；形成一牺牲层，以覆盖所述虚拟栅极结构；研磨所述牺牲层，以露出所述虚拟栅极结构的顶部；去除所述虚拟栅极结构，以获得用于形成栅极结构的凹槽；在所述凹槽中形成所述栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成紧靠所述栅极结构的侧壁结构；执行一重掺杂离子注入并退火，形成重掺杂源/漏区。根据本发明，在实施所述袋状区离子注入时，注入离子不会对所述半导体器件的栅极结构造成任何影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成一氧化硅层和一氮化硅层；蚀刻所述氮化硅层和所述氧化硅层，以在所述半导体衬底上形成一虚拟栅极结构；执行一低掺杂离子注入，以在所述半导体衬底中形成未激活的低掺杂源/漏区；执行一袋状区离子注入，以在所述半导体衬底中形成未激活的袋状区；在所述半导体衬底上形成一牺牲层，以覆盖所述虚拟栅极结构；研磨所述牺牲层，以露出所述虚拟栅极结构的顶部；去除所述虚拟栅极结构，以获得用于形成栅极结构的凹槽；在所述凹槽中形成所述栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成紧靠所述栅极结构的侧壁结构；执行一重掺杂离子注入并退火，以在所述半导体衬底中形成重掺杂源/漏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210303540.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液压自动拉拔模具出料口装置
- 下一篇：一种龙虾分级机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
