[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210303540.8 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632971A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成一氧化硅层和一氮化硅层；
蚀刻所述氮化硅层和所述氧化硅层，以在所述半导体衬底上形成一虚拟栅极结构；
执行一低掺杂离子注入，以在所述半导体衬底中形成未激活的低掺杂源/漏区；
执行一袋状区离子注入，以在所述半导体衬底中形成未激活的袋状区；
在所述半导体衬底上形成一牺牲层，以覆盖所述虚拟栅极结构；
研磨所述牺牲层，以露出所述虚拟栅极结构的顶部；
去除所述虚拟栅极结构，以获得用于形成栅极结构的凹槽；
在所述凹槽中形成所述栅极结构；
在所述栅极结构的两侧形成紧靠所述栅极结构的侧壁结构；
执行一重掺杂离子注入并退火，以在所述半导体衬底中形成重掺杂源/漏区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述氧化硅层和所述氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述袋状区离子注入之后，还包括执行一快速热退火工艺的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述快速热退火步骤分两次进行，即在所述低掺杂离子注入之后进行第一次快速热退火步骤以及在所述袋状区离子注入之后进行第二次快速热退火步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述袋状区离子注入的离子与所述低掺杂离子注入的离子导电类型相反。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述牺牲层。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化物。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述牺牲层为掩膜，采用等离子体蚀刻工艺实施所述虚拟栅极结构的去除。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凹槽中形成所述栅极结构的工艺步骤包括：在所述凹槽的底部先形成一栅极介质层；再在所述半导体衬底上形成一栅极材料层，以完全填充所述凹槽；然后，研磨所述栅极材料层，以露出所述牺牲层；最后，去除所述牺牲层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁结构包括至少一层氧化物层和/或至少一层氮化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
