[发明专利]一种沟槽MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201210301849.3 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103633117A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李俊俏;唐翠;朱超群;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 发明提出了一种沟槽MOSFET及其制造方法，该沟槽MOSFET包括衬底及其上形成的外延层，形成在该外延层内的沟槽及被沟槽分割的轻掺杂区，在沟槽的内表面形成有第一介质层，在沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，在轻掺杂区内形成有重掺杂区，该沟槽MOSFET还包括外围金属层，栅极金属层，源极金属层和漏极金属层。本发明的沟槽MOSFET采用沟槽结构代替传统分压环来控制器件耐压，能够减少工艺步骤，降低成本，提高生产效率和可靠性。本发明的沟槽MOSFET制造方法使得工艺流程中光刻采用的七层掩膜版减小为三层至五层，减少工艺步骤，缩短了工艺周期，降低了光刻成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOSFET，其特征在于，包括：衬底及其上形成的外延层，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型相同；形成在所述外延层内的沟槽及被所述沟槽分割的轻掺杂区，所述轻掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相反，所述沟槽包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽；在所述沟槽的内表面形成有第一介质层，在所述沟槽内的第一介质层上形成有导电的填充层，所述填充层将所述沟槽充满；在所述第三沟槽和第四沟槽之间的轻掺杂区内形成有重掺杂区，所述重掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相同；以及外围金属层，栅极金属层，源极金属层和漏极金属层，所述外围金属层形成在所述第一沟槽之上，所述栅极金属层形成在所述第二沟槽之上，所述源极金属层形成在所述第三沟槽和第四沟槽之间的外延层之上，所述漏极金属层形成在所述衬底之下。
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