[发明专利]闪存的存储单元的形成方法

摘要

一种闪存的存储单元的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有浮栅层，浮栅层内具有第一开口，第一开口暴露出半导体衬底的表面，浮栅层与半导体衬底之间通过绝缘层相互隔离，浮栅层表面具有控制栅层，控制栅层和浮栅层之间通过层间介质层相互隔离，控制栅层表面具有掩膜层，掩膜层内具有第二开口，第二开口和第一开口贯通，且第二开口暴露出控制栅层表面；在第一开口的侧壁形成第一侧墙；在第二开口的侧壁形成第二侧墙，第二侧墙的顶部与掩膜层表面齐平；采用选择性外延沉积工艺在第一开口和第二开口内形成源线层，源线层的顶部不高于掩膜层的表面。所形成的闪存的存储单元性能稳定。

主权项

一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有浮栅层，所述浮栅层内具有第一开口，所述第一开口暴露出半导体衬底的表面，所述浮栅层与半导体衬底之间通过绝缘层相互隔离，所述浮栅层表面具有控制栅层，所述控制栅层和浮栅层之间通过层间介质层相互隔离，所述控制栅层表面具有掩膜层，所述掩膜层内具有第二开口，所述第二开口和第一开口贯通，且所述第二开口暴露出控制栅层表面；在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙；在所述第二开口的侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的顶部与所述掩膜层表面齐平；采用选择性外延沉积工艺在所述第一开口和第二开口内形成源线层，所述源线层的顶部不高于所述掩膜层的表面。