[发明专利]闪存的存储单元的形成方法

权利要求书

1.一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有浮栅层，所述浮栅层内具有第一开口，所述第一开口暴露出半导体衬底的表面，所述浮栅层与半导体衬底之间通过绝缘层相互隔离，所述浮栅层表面具有控制栅层，所述控制栅层和浮栅层之间通过层间介质层相互隔离，所述控制栅层表面具有掩膜层，所述掩膜层内具有第二开口，所述第二开口和第一开口贯通，且所述第二开口暴露出控制栅层表面；

在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙；

在所述第二开口的侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的顶部与所述掩膜层表面齐平；

采用选择性外延沉积工艺在所述第一开口和第二开口内形成源线层，所述源线层的顶部不高于所述掩膜层的表面。

2.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述源线层的材料为多晶硅，高度为2000埃~3000埃。

3.如权利要求2所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述选择性外延沉积工艺为：沉积气体包括硅源气体和载气，所述硅源气体的流量为1标准毫升每分钟~1000标准毫升每分钟，所述载气的流量为0.1标准升每分钟~50标准升每分钟，温度为500~800摄氏度，压强为1托~100托，时间为0.1小时~1小时。

4.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述硅源气体为SiH₄或SiH₂Cl₂，所述载气为氮气或氢气。

5.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，还包括：在形成源线层之后，在所述浮栅层、控制栅层和掩膜层两侧形成字线层，所述字线层与浮栅层、控制栅层和半导体衬底之间具有氧化层相互隔离；在所述字线层两侧形成第三侧墙。

6.如权利要求5所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述字线层的材料为多晶硅，所述第三侧墙的材料为氧化硅、氮化硅、或氮化硅和氧化硅多层重叠。

7.如权利要求5所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，在所述源线层、第二侧墙、掩膜层、字线层和第三侧墙两侧进行离子注入，形成漏区。

8.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述浮栅层和控制栅层的材料为多晶硅。

9.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅。

10.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第二侧墙的材料为氧化硅。

11.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅，所述层间介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅的叠层结构。

12.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述浮栅层、控制栅层、掩膜层、第一侧墙和第二侧墙的形成方法为：在所述半导体衬底表面依次形成绝缘薄膜、浮栅薄膜、层间介质薄膜、控制栅薄膜和掩膜薄膜；刻蚀部分掩膜薄膜并暴露出控制栅薄膜表面，形成第二开口和掩膜层；在所述第二开口的侧壁形成第二侧墙；以所述第二侧墙和掩膜层为掩膜，刻蚀所述控制栅薄膜、层间介质薄膜、浮栅薄膜和绝缘薄膜并暴露出半导体衬底表面，形成第一开口；在所述第一开口侧壁形成第一侧墙。

13.如权利要求12所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，在形成第一侧墙之前，对所述第一开口底部的半导体衬底进行离子注入，形成源区。

14.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅、硅锗、碳化硅或绝缘体上硅。