[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备在审
申请号: | 201210300799.7 | 申请日: | 2012-08-22 |
公开(公告)号: | CN103137630A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 金大宇;朴钟贤 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备。所述薄膜晶体管阵列基板可以包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、被布置在有源层与栅电极之间的第一绝缘层以及被布置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层;像素电极,被布置在第一绝缘层上并且包括与栅电极相同的材料;电容器,包括与有源层布置在同一层上的第一电极和与栅电极布置在同一层上的第二电极;焊盘电极,被布置在第二绝缘层上并且包括与源电极和漏电极相同的材料;保护层,形成在焊盘电极上;以及第三绝缘层,形成在保护层上并且暴露像素电极。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 以及 有机 发光 显示 设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层被布置在所述有源层与所述栅电极之间,所述第二绝缘层被布置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间;像素电极,被布置在所述第一绝缘层上并且包括与所述栅电极相同的材料;电容器,包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述有源层布置在同一层上,所述第二电极与所述栅电极布置在同一层上;焊盘电极,被布置在所述第二绝缘层上并且包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料;保护层,形成在所述焊盘电极上;以及第三绝缘层,形成在所述保护层上并且暴露所述像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的