[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法以及有机发光显示设备

说明书

优先权声明

本申请引用较早于2011年11月30日在韩国知识产权局提交的并在那里正式授予序号No.10-2011-0127226的专利申请，将该专利申请并入本申请，并且要求从该专利申请得到的所有权益。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列基板、包括该薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示设备以及制造该薄膜晶体管阵列基板的方法。

背景技术

平板显示设备（例如有机发光显示设备或液晶显示设备）包括薄膜晶体管（TFT）、电容器、连接上述电路部件的配线等。TFT、电容器、配线等被提供为形成在用于制造平板显示设备的基板上的微图案。基板的微图案主要通过利用掩膜来转移图案的光刻工艺形成。

根据光刻工艺，在需形成图案的基板上均匀地涂覆光刻胶。光刻胶通过曝光装置（例如光刻机）曝光。在正性光刻胶的情况下，被曝光的光刻胶经历显影工艺。在光刻胶被显影以后，通过使用剩余的光刻胶对基板上的图案进行蚀刻。在图案形成以后，除去不需要的光刻胶。

在上述利用掩膜转移图案的工艺中，需要准备具有必需图案的掩膜，使得用于准备掩膜的成本随使用掩膜的工艺数量增加而升高。此外，由于需要以上所述的许多操作，所以制造工艺变得复杂，制造时间延长并且制造成本上升。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括该薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示设备以及制造该薄膜晶体管阵列基板的方法。

根据本发明的方面，薄膜晶体管阵列基板可以包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述有源层与所述栅电极之间，所述第二绝缘层被布置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间；像素电极，被布置在所述第一绝缘层上并且包括与所述栅电极相同的材料；电容器，包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述有源层布置在同一层上，所述第二电极与所述栅电极布置在同一层上；焊盘电极，被布置在所述第二绝缘层上并且包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料；保护层，形成在所述焊盘电极上；以及第三绝缘层，形成在所述保护层上并且暴露所述像素电极。

所述有源层可以包括掺有离子杂质的半导体材料。

所述像素电极可以包括透明导电氧化物。

所述透明导电氧化物可以包括从下列材料所组成的组中选择的至少一种：氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In₂O₃）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）。

所述第一电极可以包括掺有离子杂质的半导体材料。

在所述像素电极的端部和所述第二绝缘层的端部之间可以形成间隔。

所述像素电极的端部和所述第三绝缘层的端部可以彼此重叠。

在所述第二电极的端部和所述第二绝缘层的端部之间可以形成间隔。

所述第三绝缘层可以在所述间隔中直接接触所述第一绝缘层。

所述保护层可以进一步形成在所述源电极和所述漏电极上。

所述焊盘电极可以包括具有不同电子迁移率的多个金属层。

所述多个金属层可以包括包含钼（Mo）的层和包含铝（Al）的层。

所述保护层可以包括金属氧化物或透明导电氧化物。

所述透明导电氧化物可以包括从下列材料所组成的组中选择的至少一种：氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In₂O₃）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）。

在所述焊盘电极的端部和所述保护层的端部之间可以形成间隔。

所述第三绝缘层可以在所述间隔中直接接触所述焊盘电极的上表面。

所述栅电极可以包括包含透明导电氧化物的第一层和包含金属的第二层。

所述栅电极、所述源电极和所述漏电极可以包括相同的材料。