[发明专利]由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备有效
| 申请号： | 201210298666.0 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102955116A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈东 | 申请（专利权）人： | 布鲁克纳米公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;谢丽娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备。利用在晶片级所采取的二极管模型和导电探针测量来预测由该晶片制造的半导体器件的特征参数。将表示作为电阻、理想因子、和反向饱和电流的函数的电流-电压关系的电流-电压曲线（I-V）模型拟合到多个导电探针测量数据。然后，通过从（I-V）模型减去由拟合该（I-V）模型产生的电阻乘以电流的积来估算器件的电流-电压曲线（I-Vd）。 | ||
| 搜索关键词： | 电致发光 半导体 晶片 测试 预测 led 参数 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种由在制造器件的晶片上执行的导电探针测量来表征半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：将电流‑电压曲线（I‑V）模型拟合到导电探针测量数据，所述模型表示作为电阻的函数的电流‑电压关系；以及通过从所述（I‑V）模型除去根据由所述拟合步骤产生的数据所计算出的电阻效应来估算所述器件的电流‑电压曲线（I‑Vd）。
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