[发明专利]由电致发光半导体晶片测试预测LED参数的方法和设备有效
| 申请号： | 201210298666.0 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102955116A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈东 | 申请（专利权）人： | 布鲁克纳米公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;谢丽娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电致发光 半导体 晶片 测试 预测 led 参数 方法 设备 | ||
1.一种由在制造器件的晶片上执行的导电探针测量来表征半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：
将电流-电压曲线（I-V）模型拟合到导电探针测量数据，所述模型表示作为电阻的函数的电流-电压关系；以及
通过从所述（I-V）模型除去根据由所述拟合步骤产生的数据所计算出的电阻效应来估算所述器件的电流-电压曲线（I-Vd）。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型包括由所述拟合步骤产生的感兴趣的参数。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述感兴趣的参数是理想因子。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述感兴趣的参数是反向饱和电流。
5.根据权利要求1所述的方法，其中假设所述电阻为常量，并且所述模型具有下列形式：
其中I是电流，I0是反向饱和电流，n是理想因子，R是电阻，q是电子电荷，k是波尔兹曼常量，并且T是温度。
6.根据权利要求5所述的方法，其中根据下列方程组和至少三个电流-电压测量数据点(Ii,Vi),i＝1...3...来计算所述理想因子、电阻和反向饱和电流：
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