[发明专利]一种包含MOSFET器件的半导体器件和制作方法有效
| 申请号： | 201210297743.0 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102891180A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 郑志星 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含MOSFET器件的半导体器件和一种制作MOSFET器件的方法。其中该MOSFET器件包含：漏极，为第一掺杂类型，所述漏极包含漏极接触区和漂移区；源极，为第一掺杂类型；体区，为第二掺杂类型，所述体区位于所述漏极和所述源极之间；栅极，位于体区上方，其中所述源极位于所述栅极的一侧，所述漏极位于所述栅极的另一侧；以及凹进场氧结构，其中所述凹进场氧结构在垂直方向上位于所述栅极和所述漂移区之间，所述凹进场氧结构使所述漂移区呈U型。该结构提高了MOSFET的击穿电压，提高了电荷密度，同时具有较低的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 mosfet 器件 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种包含金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件的半导体器件，其中所述MOSFET器件包含：漏极，为第一掺杂类型，所述漏极包含漏极接触区和漂移区；源极，为第一掺杂类型；体区，为第二掺杂类型，所述体区位于所述漏极和所述源极之间；栅极区，位于体区上方，其中在水平方向上，所述源极位于所述栅极区的一侧，所述漏极位于所述栅极区的另一侧；以及凹进场氧结构，其中所述凹进场氧结构在垂直方向上位于所述栅极区和所述漂移区之间，所述凹进场氧结构使得所述漂移区呈U型。
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