[发明专利]一种包含MOSFET器件的半导体器件和制作方法

权利要求书

1.一种包含金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件的半导体器件，其中所述MOSFET器件包含：

漏极，为第一掺杂类型，所述漏极包含漏极接触区和漂移区；

源极，为第一掺杂类型；

体区，为第二掺杂类型，所述体区位于所述漏极和所述源极之间；

栅极区，位于体区上方，其中在水平方向上，所述源极位于所述栅极区的一侧，所述漏极位于所述栅极区的另一侧；以及

凹进场氧结构，其中所述凹进场氧结构在垂直方向上位于所述栅极区和所述漂移区之间，所述凹进场氧结构使得所述漂移区呈U型。

2.如权利要求1所述的半导体器件进一步包含：

半导体衬底，为第二掺杂类型；

掩埋层，为第一掺杂类型，所述掩埋层位于所述半导体衬底和所述MOSFET器件之间。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述MOSFET器件为第一MOSFET器件，所述半导体器件进一步包含第二MOSFET器件，其中所述第一MOSFET器件的漂移区包含第一宽度和第一深度，所述第二MOSFET器件的漂移区包含第二宽度和第二深度，其中所述第一宽度大于所述第二宽度且所述第一深度大于所述第二深度。

4.一种制作MOSFET器件的方法，包含：

在半导体衬底上制作外延层；

在外延层上涂覆光刻胶层，采用第一张掩膜对光刻胶层进行光刻工艺在光刻胶上形成开孔；

向所述开孔注入离子掺杂剂制作所述漂移区；

采用第二张掩膜在所述漂移区制作凹进场氧结构，使得所述漂移区呈所述U型；

制作栅极，使得所述栅极位于所述外延层、所述漂移区和所述凹进场氧结构之上并和所述外延层、所述漂移区和所述凹进场氧结构部分重叠；以及

在所述栅极一侧制作源极区并在所述栅极另一侧制作漏极接触区；

其中通过调节所述开孔的宽度控制所述漂移区的深度。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述漂移区的深度通过与所述开孔的宽度呈正相关的方式调节控制。

6.如权利要求4所述的方法，其中制作所述凹进场氧结构包括：

采用所述第二张掩膜刻蚀沟槽；以及

在所述沟槽中制作氧化物。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述漂移区的深度通过与所述沟槽的深度呈负相关的方式调节控制。

8.如权利要求4所述的方法，进一步包含在所述半导体衬底上制作掩埋层。

9.一种制作MOSFET器件的方法，包括：

在半导体衬底上制作外延层；

采用第一张掩膜在所述外延层中制作第一型阱，所述第一型阱为第一掺杂类型；

在所述第一型阱表面与所述第一型阱对准制作氧化物；

以所述氧化物作为阻挡掩膜层，从所述第一型阱的布图间隔中注入离子掺杂剂制作漂移区，所述漂移区为第二掺杂类型；

采用第二张掩膜在所述漂移区制作凹进场氧结构，使所述漂移区呈U型；

制作栅极；以及

在所述栅极一侧制作源极区并在所述栅极另一侧制作漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述漂移区的深度通过与所述布图间隔宽度呈正相关的方式调节控制。