[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210297126.0 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103035671A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;李娟娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有第二导电类型的漂移区，所述漂移区的上表面水平，在所述漂移区之上具有至少一块第二导电类型的外延漂移区，所述外延漂移区仅分布在所述漂移区靠近沟道一侧的上方；所述第一导电类型、第二导电类型分别是p型、n型；或者相反。在一个实施例中，所述外延漂移区的上表面呈水平状。在另一个实施例中，所述外延漂移区的上表面呈阶梯状，且在从沟道到漏端的方向上该外延层的厚度单调递减。本申请还公开了所述LDMOS器件的制造方法。所述漂移区和外延漂移区共同构成了LDMOS器件的工作漂移区，由于工作漂移区靠近沟道一侧的厚度有增加，有效地降低了LDMOS器件的导通电阻，并可获得较高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有第二导电类型的漂移区，所述漂移区的上表面水平，其特征是，在所述漂移区之上具有至少一块第二导电类型的外延漂移区，所述外延漂移区仅分布在所述漂移区靠近沟道一侧的上方；所述第一导电类型、第二导电类型分别是p型、n型；或者相反。
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