[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有第二导电类型的漂移区，所述漂移区的上表面水平，其特征是，在所述漂移区之上具有至少一块第二导电类型的外延漂移区，所述外延漂移区仅分布在所述漂移区靠近沟道一侧的上方；

所述第一导电类型、第二导电类型分别是p型、n型；或者相反。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征是，所述外延漂移区的上表面呈水平状。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征是，所述外延漂移区的上表面呈阶梯状，且在从沟道到漏端的方向上该外延层的厚度单调递减。

4.根据权利要求2或3所述的LDMOS器件，其特征是，所述外延漂移区为一块或多块；当具有多块外延漂移区时，它们之间或者紧挨着，或者相距一段距离。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征是，所述外延漂移区的掺杂浓度为漂移区的掺杂浓度的0.5倍～2倍。

6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征是，所述外延漂移区的厚度为漂移区厚度的0.1倍～1倍。

7.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在第一导电类型的衬底中采用离子注入工艺形成横向相邻的第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区；

第2步，在硅片上形成栅氧化层及其上的多晶硅栅极，栅氧化层横跨掺杂区和漂移区的分界线；

第3步，在栅氧化层和多晶硅栅极的两侧形成侧墙；

在掺杂区的中间位置形成第二导电类型的重掺杂源端，重掺杂源端与漂移区之间且紧挨栅氧化层的那部分掺杂区就是LDMOS器件的沟道；

在漂移区远离栅氧化层的那一端形成第二导电类型的重掺杂漏端；

在掺杂区中远离栅氧化层的那一端形成第一导电类型的重掺杂沟道引出端；

第4步，在硅片表面淀积一层介质层，然后采用光刻工艺在所述漂移区靠近侧墙处暴露出外延窗口，并在该外延窗口中以外延和原位掺杂工艺生长出第二导电类型的外延漂移区，最后去除介质层；

所述第一导电类型、第二导电类型分别是p型、n型；或者相反。

8.根据权利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第4步改为：

第4a步，在硅片表面淀积第n介质层，然后采用光刻工艺在所述漂移区靠近侧墙处暴露出第n外延窗口，并在该第n外延窗口中以外延和原位掺杂工艺生长出第n外延漂移区，最后去除第n介质层；所述n为自然数；

重复第4a步1次至多次，每次所形成的外延漂移区均在上一次所形成的外延漂移区的旁边，或者紧挨着，或者相距一段距离。

9.根据权利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征是，将所述方法第1步改为：在第一导电类型的衬底中采用离子注入工艺形成第二导电类型的阱，在该阱中以离子注入工艺形成横向相邻的第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区；其余各步骤不变。

10.根据权利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征是，将所述方法第1步改为：在第一导电类型的衬底中采用离子注入工艺形成第二导电类型的阱，在该阱中以离子注入工艺形成横向相邻的第二导电类型的掺杂区和第一导电类型的漂移区；其余各步骤相同但掺杂类型变为相反。