[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
申请号: | 201210287258.5 | 申请日: | 2012-08-13 |
公开(公告)号: | CN103094276A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 唐文忠;舒芳安;蔡耀州;辛哲宏 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭露一种薄膜晶体管基板及其制备方法。薄膜晶体管基板包含显示区域和非显示区域。非显示区域包含信号线、连接线和接触金属,其中连接线为第一图案化金属层,信号线和接触金属为第二图案化金属层。信号线通过栅绝缘层的第一通孔电性连接连接线,连接线通过护层的第二通孔电性连接接触金属。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,其特征在于,包含:一基板,包含一显示区域及一非显示区域,其中该非显示区域位于该显示区域的周围;至少一薄膜晶体管,是位于该基板上,且配置于该显示区域内;至少一扫描线,是位于该基板上的一第一图案化金属层,与该至少一薄膜晶体管的至少一栅极电性连接,且配置于该显示区域及该非显示区域内;至少一信号线,是位于一栅绝缘层上的一第二图案化金属层,与该至少一薄膜晶体管的至少一源极及至少一漏极电性连接,且配置于该显示区域及该非显示区域内;以及至少一连接线,是位于该第一图案化金属层,且配置于该非显示区域内;其中该栅绝缘层,是至少覆盖部分位于该第一图案化金属层的该至少一扫描线及该至少一连接线,且该至少一连接线与该至少一信号线于该非显示区域内,是以位于该栅绝缘层的至少一第一通孔电性连接,并且其中位于该非显示区域内具有至少一接触金属,该至少一接触金属与该至少一连接线是以位于该栅绝缘层中的至少一第二通孔电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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