[发明专利]一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法有效
| 申请号： | 201210285677.5 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102768992A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;彭俊彪;罗东向;王磊;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法，用于高效的使用金属氧化物半导体材料制作薄膜晶体管的驱动背板。本发明实施例方法包括：制备并图形化金属导电层；在所述金属导电层上依次沉积绝缘薄膜和金属氧化物薄膜，分别作为栅极绝缘层和有源层；根据所述金属导电层的形状图形化所述有源层；在所述有源层上沉积绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；使用灰度掩膜版图形化工艺，在所述栅极绝缘层制备接触孔并图形化所述刻蚀阻挡层，定义薄膜晶体管源漏电极区域和所述存储电容的有效面积；在所述刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 驱动 背板 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于，包括：制备并图形化金属导电层；在所述金属导电层上依次沉积绝缘薄膜和金属氧化物薄膜，分别作为栅极绝缘层和有源层；根据所述金属导电层的形状图形化所述有源层；在所述有源层上沉积绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；在所述栅极绝缘层制备接触孔并图形化所述刻蚀阻挡层，定义薄膜晶体管源漏电极区域和所述存储电容的有效面积；在所述刻蚀阻挡层上沉积并图形化导电薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
