[发明专利]制造金属栅极半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210281316.3 | 申请日： | 2012-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103367132A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 钟升镇;朱鸣;林俊铭;杨宝如;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法包括提供衬底，在该衬底上设置有栅极介电层，诸如高k电介质。在栅极介电层上形成三层元件。三层元件包括第一保护层、第二保护层以及介于第一保护层和第二保护层之间的金属栅极层。利用三层元件形成nFET栅极结构和pFET栅极结构中的一种，例如，第二保护层和金属栅极层可以形成用于nFET器件和pFET器件中的一种的功函数层。第一保护层可以是用于图案化金属栅极层的牺牲层。本发明提供了制造金属栅极半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 栅极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供衬底，在所述衬底上设置有栅极介电层；在所述栅极介电层上形成三层元件，其中，所述三层元件包括第一保护层、第二保护层以及介于所述第一保护层和所述第二保护层之间的金属栅极层；以及利用所述三层元件形成nFET栅极结构和pFET栅极结构中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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