[发明专利]MEMS纳米结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210279330.X | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103359682A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张仪贤;郑创仁;刘怡劭;张华伦;陈庆叡;李也曾;林文香 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | mems 纳米 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成多个MEMS纳米结构的方法，所述方法包括：使衬底的一部分凹进，从而在所述衬底中形成多个台面，所述多个台面中的每个台面均具有顶面和与所述顶面相邻的侧壁面；在所述衬底之上沉积反光层，从而覆盖每个台面的所述顶面和所述侧壁面；在所述反光层之上形成保护层；在所述保护层之上形成抗反射涂层(ARC)；在每个台面上方的所述ARC层之上的光刻胶层中形成开口；通过所述开口去除所述ARC层的一部分、所述保护层的一部分和所述反光层的一部分，从而暴露出每个台面的顶部；以及去除每个台面的所述顶面之上的所述光刻胶层和所述ARC层。
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