[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210277997.6 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102956690A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 金泰均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括设置有第一驱动晶体管的第一驱动晶体管区和设置有第二驱动晶体管的第二驱动晶体管区，其中，采用比所述第一驱动晶体管低的电压来驱动所述第二驱动晶体管；第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层被形成在第二驱动晶体管区的边缘处；以及第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层被形成在第二驱动晶体管区的中心处，其中，所述第一栅绝缘层比所述第二栅绝缘层厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括设置有第一驱动晶体管的第一驱动晶体管区和设置有第二驱动晶体管的第二驱动晶体管区，其中，采用比所述第一驱动晶体管低的电压来驱动所述第二驱动晶体管；第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层被形成在所述第二驱动晶体管区的边缘处；以及第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层被形成在所述第二驱动晶体管区的中心处，其中，所述第一栅绝缘层比所述第二栅绝缘层厚。
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