[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210276076.8 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103579002A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有外延本征层，所述外延本征层表面形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出外延本征层的开口；沿所述开口干法刻蚀所述外延本征层形成鳍部，所述鳍部顶部的宽度小于其表面的部分硬掩膜层的宽度，且所述鳍部侧壁与半导体衬底表面的夹角小于90度；通过所述开口向所述鳍部内掺杂离子，使掺杂后的离子主要分布于鳍部的中部，少量离子分布于鳍部的底部。本发明实施例形成的鳍式场效应晶体管的栅极漏电流小，晶体管的性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有外延本征层，所述外延本征层表面形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出外延本征层的开口；沿所述开口干法刻蚀所述外延本征层形成鳍部，所述鳍部顶部的宽度小于其表面的部分硬掩膜层的宽度，且所述鳍部侧壁与半导体衬底表面的夹角小于90度；通过所述开口向所述鳍部内掺杂离子，使鳍部的顶部为本征层，鳍部的中部和底部具有掺杂离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
