[发明专利]氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法

摘要

一种氮化硅薄膜高深宽比孔的循环刻蚀方法，步骤一通过干法等离子体工艺采用碳氟基气体进行氮化硅薄膜的刻蚀并形成孔，同时生成聚合物沉积在所述孔的底部及侧壁；步骤二再向刻蚀腔体内通入氧化性气体及稀释性气体，既可控制深孔侧壁上的碳氟聚合物的沉积量、又可去除已沉积在深孔底部的聚合物以保证刻蚀可以继续进行，重复进行上述两步骤直至所述孔的刻蚀形貌达到要求。当增加步骤一中的碳氟基气体从而增加聚合物的量时，孔的形貌为略倾斜；当增加步骤二中的氧化性气体时，孔的形貌为陡直；通过将参数调节到介于上述二者之间时，即可根据需求而获得不同的孔的刻蚀形貌。

主权项

一种氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法，首先将已经形成半导体所需图形的氮化硅薄膜的半导体器件放入刻蚀腔体内，其特征在于，所述方法接着还包括如下步骤：步骤一、向所述刻蚀腔体内通入碳氟基气体，采用干法等离子体工艺进行氮化硅薄膜的刻蚀并形成孔，同时生成碳氟聚合物沉积在所述孔的底部及侧壁；步骤二、关闭步骤一的气体，再向所述刻蚀腔体内通入氧化性气体，采用等离子体处理工艺去除所述孔的底部及侧壁上的碳氟聚合物；重复进行上述两步骤，直至所述孔的刻蚀形貌达到要求。