[发明专利]一种传感器的制造方法有效
| 申请号: | 201210262971.4 | 申请日: | 2012-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN102790068A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
| 发明(设计)人: | 李田生;姜晓辉;徐少颖;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种传感器的制造方法,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成偏压线的图形;通过一次构图工艺形成透明电极的图形、光电二极管的图形、接收电极的图形、源极的图形、漏极的图形、数据线的图形和欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成有源层的图形、第一钝化层、栅极的图形和栅线的图形。本发明方法对比于现有技术,减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成偏压线的图形;通过一次构图工艺形成位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极的图形,位于透明电极之上的光电二极管的图形,位于光电二极管之上的接收电极的图形、与接收电极连接的源极的图形和与源极相对而置形成沟道的漏极的图形,以及,与漏极连接的数据线的图形和位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成位于欧姆层和沟道之上的有源层的图形、位于有源层之上并覆盖基板的第一钝化层,以及位于第一钝化层之上、沟道上方的栅极的图形和与栅极连接的栅线的图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210262971.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双伺服绕线机单片机控制器
- 下一篇:电缆通断检测报警器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





