[发明专利]一种传感器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及影像检测技术，特别是涉及一种传感器的制造方法。

背景技术

随着人们自我保健意识的逐渐增强，各种无损伤医疗检测方法受到人们的青睐。在诸多的无损伤检测方法中，计算机断层扫描技术已经被广泛的应用到我们的现实生活中。在计算机断层扫描设备的组成中，必不可缺的一个部分就是传感器。

传感器的基本结构如图l所示，该传感器12的每个感测单元包括一个光电二极管13和一个场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)14，场效应晶体管14的栅极与传感器12的扫描线(Gate Line)15连接，场效应晶体管14的源极与传感器12的数据线(Data Line)16连接，光电二极管13与场效应晶体管14的漏极连接；数据线16的一端通过连接引脚17连接数据读出电路18。

传感器的工作原理为：传感器12通过扫描线15施加驱动扫描信号来控制场效应晶体管14的开关状态。当场效应晶体管14被打开时，光电二极管13产生的光电流信号依次通过与场效应晶体管14连接的数据线16、数据读出电路18而输出，通过控制扫描线15与数据线16上的信号时序来实现光电流信号的采集功能，即通过控制场效应管14的开关状态来实现对光电二极管13产生的光电流信号采集的控制作用。

目前，传感器通常采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)平板结构，这种传感器在断面上分为多层，例如：在一个感测单元内包括：基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极与漏极层、钝化层、PIN光电传感器的PIN结和透明电极窗口层，以及偏压线层和挡光条层等。当然，不同传感器由于具体结构的差异，在断面上的具体图层也不尽相同。

通常，传感器的各个图层都是通过构图(MASK)工艺形成的，而每一次MASK工艺通常包括掩模、曝光、显影、刻蚀和剥离等工序。现有传感器在制造时通常需要采用9至11次构图工艺，这样就对应的需要9至11张光罩掩模板，传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升。

发明内容

本发明的目的是提供一种传感器的制造方法，用以解决现有技术中存在的传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升的技术问题。

本发明传感器的制造方法，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成偏压线的图形；

通过一次构图工艺形成位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极的图形，位于透明电极之上的光电二极管的图形，位于光电二极管之上的接收电极的图形、与接收电极连接的源极的图形和与源极相对而置形成沟道的漏极的图形，以及，与漏极连接的数据线的图形和位于源极和漏极之上的欧姆层的图形；

通过一次构图工艺形成位于欧姆层和沟道之上的有源层的图形、位于有源层之上并覆盖基板的第一钝化层，以及位于第一钝化层之上、沟道上方的栅极的图形和与栅极连接的栅线的图形。

本发明方法可共采用四次构图工艺制成传感器，对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。此外，制成的传感器在工作时，光线经过衬底基板直接透射在光电二极管传感器件上，对比于现有技术，大大减少了光损失，提高了光的吸收利用率，成像品质得到提升，能耗也有所降低。

附图说明

图1为现有传感器的立体结构示意图；

图2为本发明传感器的制造方法一实施例的流程示意图；

图3a为本发明制造方法实施例在第一次构图工艺后的感测单元俯视图；

图3b为本发明制造方法实施例在第一次构图工艺后的感测单元截面视图；

图4a为本发明制造方法实施例在第二次构图工艺后的感测单元俯视图；

图4b为本发明制造方法实施例在第二次构图工艺后的感测单元截面视图；

图5a为本发明制造方法实施例在第三次构图工艺后的感测单元俯视图；

图5b为本发明制造方法实施例在第三次构图工艺后的感测单元截面视图；

图6a为本发明制造方法实施例在第四次构图工艺后的感测单元俯视图；

图6b为本发明制造方法实施例在第四次构图工艺后的感测单元截面视图。

附图标记：

12-传感器        13-光电二极管(现有技术)   14-场效应晶体管

15-扫描线        16-数据线(现有技术)       17-连接引脚

18-数据读出电路  30-栅线                   31-数据线