[发明专利]一种传感器的制造方法有效
| 申请号: | 201210262971.4 | 申请日: | 2012-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN102790068A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
| 发明(设计)人: | 李田生;姜晓辉;徐少颖;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 传感器 制造 方法 | ||
1.一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上通过一次构图工艺形成偏压线的图形;
通过一次构图工艺形成位于偏压线之上、与偏压线导电接触的透明电极的图形,位于透明电极之上的光电二极管的图形,位于光电二极管之上的接收电极的图形、与接收电极连接的源极的图形和与源极相对而置形成沟道的漏极的图形,以及,与漏极连接的数据线的图形和位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;
通过一次构图工艺形成位于欧姆层和沟道之上的有源层的图形、位于有源层之上并覆盖基板的第一钝化层,以及位于第一钝化层之上、沟道上方的栅极的图形和与栅极连接的栅线的图形。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在形成栅极的图形和栅线的图形之后,进一步包括:
通过一次构图工艺形成覆盖基板的第二钝化层的图形,所述第二钝化层具有信号引导区过孔。
3.如权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺形成透明电极的图形、光电二极管的图形、接收电极的图形、源极的图形、漏极的图形、数据线的图形和欧姆层的图形,具体包括:
依次沉积透明电极金属、光电二极管材料层、数据线金属和欧姆材料层,并在欧姆材料层之上涂覆光刻胶;
采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光,其中,半透光区对应形成沟道的区域;不透光区对应形成源极、漏极、数据线和接收电极的区域;
对基板的完全曝光区进行显影、刻蚀;
对基板的半曝光区进行灰化、刻蚀和光刻胶剥离,形成沟道的图形。
4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺形成有源层的图形、第一钝化层、栅极的图形和栅线的图形,具体包括:
依次沉积有源材料层、第一钝化层和栅金属,形成有源层图形;
对栅金属进行刻蚀,形成栅极的图形和栅线的图形。
5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述源极、漏极、数据线和接收电极的材质相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





