[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210260565.4 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103579315A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;秦长亮;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：多个鳍片，位于衬底上并且沿第一方向延伸；多个栅极堆叠结构，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；多个应力层，位于栅极堆叠结构两侧的鳍片中，并且在应力层中具有多个源漏区；多个沟道区，沿第一方向位于多个源漏区之间；其特征在于，多个栅极堆叠结构环绕包围了多个沟道区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，利用硬掩模和假栅结合穿通腐蚀了沟道区所在的鳍片而自对准地形成了全环绕纳米线金属多栅，增强了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个鳍片，位于衬底上并且沿第一方向延伸；多个栅极堆叠结构，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；多个应力层，位于栅极堆叠结构两侧的鳍片中，并且在应力层中具有多个源漏区；多个沟道区，沿第一方向位于多个源漏区之间；其特征在于，多个栅极堆叠结构环绕包围了多个沟道区。
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