[发明专利]存储器阵列及电子设备有效
| 申请号： | 201210258473.2 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102768855A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器阵列和电子设备，所述存储器阵列包括多个成阵列排布的存储器单元，所述各存储器单元包含多条互相平行的位线、以及平行排列于位线上且与所述位线垂直的字线，每条位线在列方向上连接各存储器单元的源极或漏极，每条字线在行方向上连接各存储器单元的栅极；其中，所述存储器单元的栅极包括双栅结构及位于双栅结构之间的选择栅，所述双栅结构并列排布于衬底上。所述电子设备配置了上述存储器阵列。本发明针对电可擦可编程只读存储器而设计，能避免对选中的存储器单元进行操作时，对其它存储器单元产生串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 电子设备 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，其特征在于：包括多个成阵列排布的存储器单元，所述各存储器单元包含多条互相平行的位线、以及平行排列于位线上且与所述位线垂直的字线，每条位线在列方向上连接各存储器单元的源极或漏极，每条字线在行方向上连接各存储器单元的栅极；其中，所述存储器单元的栅极包括双栅结构及位于双栅结构之间的选择栅，所述双栅结构并列排布于衬底上。
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