[发明专利]存储器阵列及电子设备

权利要求书

1.一种存储器阵列，其特征在于：包括多个成阵列排布的存储器单元，所述各存储器单元包含多条互相平行的位线、以及平行排列于位线上且与所述位线垂直的字线，每条位线在列方向上连接各存储器单元的源极或漏极，每条字线在行方向上连接各存储器单元的栅极；其中，

所述存储器单元的栅极包括双栅结构及位于双栅结构之间的选择栅，所述双栅结构并列排布于衬底上。

2.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于：所述双栅结构包括第一存储位栅极和第二存储位栅极。

3.如权利要求2所述的存储器阵列，其特征在于：所述存储位栅极包括位于衬底上的控制栅、位于控制栅上的浮栅，所述控制栅和浮栅之间具有氧化层。

4.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于：所述字线在行方向上连接各存储器单元的选择栅。

5.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于：位于同一列的存储器单元的源极或漏极通过第一金属层相连。

6.如权利要求3所述的存储器阵列，其特征在于：位于同一行的存储器单元的控制栅或字线通过第二金属层相连。

7.如权利要求3所述的存储器阵列，其特征在于：在对所述存储器阵列中一存储器单元的控制栅施加0V电压，对所述存储器单元的字线施加2.5V~3.5V电压，对所述存储器单元的源极施加0V电压，对所述存储器单元的漏极施加0.5V~1V电压的情况下，对所述存储器单元进行读取操作。

8.如权利要求3所述的存储器阵列，其特征在于：在对所述存储器阵列中一存储器单元的控制栅施加-6V～-8V电压，对所述存储器单元的字线施加7V~9V电压，对所述存储器单元的源极施加0V电压，对所述存储器单元的漏极施加0V电压的情况下，对所述存储器单元进行擦除操作。

9.如权利要求3所述的存储器阵列，其特征在于：在对所述存储器阵列中一存储器单元的控制栅施加7V~9V电压，对所述存储器单元的字线施加1.3V~1.8V电压，对所述存储器单元的源极施加4V~6V电压，对所述存储器单元的漏极施加0.1V~0.6V电压的情况下，对所述存储器单元进行编程操作。

10.一种电子设备，其特征在于：配置了如权利要求1至9所述任一种存储器阵列。