[发明专利]存储器阵列及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种针对电可擦可编程只读存储器而设计的存储器阵列及配置了这种存储器阵列的电子设备。

背景技术

随着存储技术的不断发展，目前发展出了众多类型的存储器，如RAM（随机存储器）、DRAM（动态随机存储器）、ROM（只读存储器）、EPROM（可擦除可编程只读存储器）、FLASH（闪存）、EEPROM（电可擦可编程只读存储器）等。

电可擦可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，可在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，即插即用。

电可擦可编程只读存储器的擦除不需要借助于其它设备，它以电子信号来修改其内容，摆脱了可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable ROM，EPROM）擦除器和编程器的束缚。而且电可擦可编程只读存储器可以按字节（Byte）擦除，而不像闪存（Flash）那样要全片或分块擦除。

同大多数半导体存储器一样，电可擦可编程只读存储器也包括存储器阵列和外围电路。存储器阵列具有很多排列成块的存储器单元。每个存储器单元被制造成具有控制栅和浮栅的场效应晶体管。浮栅用于保留电荷，并且通过薄氧化层与包含在衬底中的源极和漏极区域分离。这种存储器单元能够执行各种操作，包括编程、读取、擦除等。例如，将电子从漏区域穿过氧化层射入到浮栅上，使存储器单元充电。在擦除操作中，利用现有方法将电子穿过氧化层隧穿到栅极，从而将电荷从浮栅中移除。由此，存储器单元中的数据由浮栅上是否存在电荷决定。

为了使存储器尺寸尽可能小，存储器电路的设计布局也必须随之越来越小。布局越来越小的同时也带来了弊端，比如：对某一选中的存储器单元进行操作时，容易对其周围的存储器单元造成误操作。尤其是，当存储器单元共用一条字线WL，且共用部分位线BL时，易对与选中的存储器单元有共用部分的其它存储器单元产生串扰。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种可应用于电可擦可编程只读存储器的存储器阵列，其能避免对选中的存储器单元进行操作的同时，对其它存储器单元产生串扰的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储器阵列，包括多个成阵列排布的存储器单元，所述各存储器单元包含多条互相平行的位线、以及平行排列于位线上且与所述位线垂直的字线，每条位线在列方向上连接各存储器单元的源极或漏极，每条字线在行方向上连接各存储器单元的栅极；其中，

所述存储器单元的栅极包括双栅结构及位于双栅结构之间的选择栅，所述双栅结构并列排布于衬底上。

可选的，所述双栅结构包括第一存储位栅极和第二存储位栅极。

可选的，所述存储位栅极包括位于衬底上的控制栅、位于控制栅上的浮栅，所述控制栅和浮栅之间具有氧化层。

可选的，所述字线在行方向上连接各存储器单元的选择栅。

可选的，位于同一列的存储器单元的源极或漏极通过第一金属层相连。

可选的，位于同一行的存储器单元的控制栅或字线通过第二金属层相连。

可选的，在对所述存储器阵列中一存储器单元的控制栅施加0V电压，对所述存储器单元的字线施加2.5V~3.5V电压，对所述存储器单元的源极施加0V电压，对所述存储器单元的漏极施加0.5V~1V电压的情况下，对所述存储器单元进行读取操作。

可选的，在对所述存储器阵列中一存储器单元的控制栅施加-6V～-8V电压，对所述存储器单元的字线施加7V~9V电压，对所述存储器单元的源极施加0V电压，对所述存储器单元的漏极施加0V电压的情况下，对所述存储器单元进行擦除操作。

可选的，在对所述存储器阵列中一存储器单元的控制栅施加7V~9V电压，对所述存储器单元的字线施加1.3V~1.8V电压，对所述存储器单元的源极施加4V~6V电压，对所述存储器单元的漏极施加0.1V~0.6V电压的情况下，对所述存储器单元进行编程操作。

本发明还提供了一种电子设备，配置了上述任一种存储器阵列。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：