[发明专利]一种SOI硅片的制备方法有效
| 申请号： | 201210257908.1 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102832160A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 何自强;柳清超;李捷 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI硅片的制备方法，属于SOI晶圆的制备技术领域。该方法针对利用热微波切割法（TM-SOI）获得的SOI（Silicon On Insulator）硅片，采用HCl化学刻蚀去除SOI损伤层和减小粗糙度，获得高质量的SOI硅片。应用本发明方法不但能够去除利用热微波切割法（TM-SOI）制备的SOI（Silicon On Insulator）层表面的损伤层、表面粗糙现象，同时能够获得极高表面平坦度的SOI硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 硅片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI硅片的制备方法，其特征在于：该方法针对利用热微波切割法获得的SOI硅片，采用无水HCl化学刻蚀去除SOI损伤层和减小粗糙度，获得高质量的SOI硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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