[发明专利]一种SOI硅片的制备方法有效
| 申请号： | 201210257908.1 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102832160A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 何自强;柳清超;李捷 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi 硅片 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOI硅片的制备方法，其特征在于：该方法针对利用热微波切割法获得的SOI硅片，采用无水HCl化学刻蚀去除SOI损伤层和减小粗糙度，获得高质量的SOI硅片。
2.根据权利要求1所述的SOI硅片的制备方法，其特征在于：所述无水HCl化学刻蚀包括如下步骤：
1）将SOI硅片装入密封反应室；
2）反应室中通入氢气加热10~60秒以除去硅片表面氧化层；
3）经步骤2）处理的硅片置于无水HCl气氛中刻蚀其表面的硅层；其中，刻蚀温度800~1200℃，刻蚀时间5~120秒；
4）反应室中通入氢气，除去反应室中的杂质及残余HCl后，自然冷却至室温；
5）反应室中通入氮气，除去其中的氢气后取出硅片。
3.根据权利要求1或2所述的SOI硅片的制备方法，其特征在于：硅片表面刻蚀掉50nm~500nm的薄层。
4.根据权利要求2所述的SOI硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤3）中无水HCl气体的纯度>99.999％。
5.根据权利要求2所述的SOI硅片的制备方法，其特征在于：步骤3）中无水HCl气体流速0.3~20升/分钟。
6.根据权利要求2所述的SOI硅片的制备方法，其特征在于：步骤2）中氢气流速30~100升/分钟，加热温度1000～1200℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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