[发明专利]一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法

摘要

本发明公开了一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，包括以下步骤：首先将测量电极通过传输线设置于被测脑部上，获取传输线的特性阻抗和传输线的长度，然后通过发射电极向大脑发出电磁波并穿过大脑后输入到信号处理器，获取在距离l处的测量阻抗，最后判断测量阻抗的幅值是否达到局部最值，如果是，则计算负载阻抗；本发明采用通过阻抗测量来计算负载阻抗，得到一种测量大脑组织介电常数变化的方法，该方法正确地使用电路中匹配良好的阻抗传输线，因此没有引进大量电感，使得阻抗幅值在某一频率下达到局部最小值，即负载阻抗的感应抵抗被取消，从而获得该最小阻抗频率MIF，通过获取频率、光缆长度和阻抗可以得到被测量的负载阻抗。

主权项

1.一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将测量电极通过传输线设置于被测脑部上；S2：获取传输线的特性阻抗Z₀和传输线的长度l；S3：通过发射电极向大脑发出电磁波，所述电磁波穿过大脑；S4：通过接收电极接收改变后的电磁波，并输入到信号处理器进行数字处理；S5：获取在距离l处的测量阻抗Z(l)；S6：改变发射电极发出的电磁波的频率,判断测量阻抗Z(l)的幅值是否达到局部最值，如果是，则通过以下公式来计算：ZL=Z0Z(l)-jZ0tan(kl)Z0-jZ(l)tan(kl),]]>其中，Z_L是被测量的负载阻抗，Z₀是传输线的特性阻抗，Z(l)表示在距离l处的测量阻抗，是波数，ω是电磁波的角频率，μ是导磁系数，ε是介电常数，tan(kl)是周期函数；S7：如果否，则重复步骤S6。