[发明专利]一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法

权利要求书

1.一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：将测量电极通过传输线设置于被测脑部上；

S2：获取传输线的特性阻抗Z₀和传输线的长度l；

S3：通过发射电极向大脑发出电磁波，所述电磁波穿过大脑；

S4：通过接收电极接收改变后的电磁波，并输入到信号处理器进行数字处理；

S5：获取在距离l处的测量阻抗Z(l)；

S6：改变发射电极发出的电磁波的频率,判断测量阻抗Z(l)的幅值是否达到局部最值，如果是，则通过以下公式来计算：

ZL=Z0Z(l)-jZ0tan(kl)Z0-jZ(l)tan(kl),]]>

其中，Z_L是被测量的负载阻抗，Z₀是传输线的特性阻抗，Z(l)表示在距离l处的测量阻抗，是波数，ω是电磁波的角频率，μ是导磁系数，ε是介电常数，tan(kl)是周期函数；

S7：如果否，则重复步骤S6。

2.根据权利要求1所述的基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，其特征在于：所述传输线采用1/4波长的光缆。

3.根据权利要求1所述的基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，其特征在于：所述传输线的特性阻抗Z₀是通过以下步骤来进行测量的：在传输线两端施加可变频率的电压，当传输线阻抗达到最值时为传输线的特性阻抗Z₀。

4.根据权利要求1所述的基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，其特征在于：所述测量阻抗Z(l)是通过以下步骤来进行测量的：通过改变发射电极的电压频率，当负载阻抗呈电容性且其电容达到最小值时，所获得的输入阻抗为测量阻抗Z(l)。

5.根据权利要求1所述的基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，其特征在于：

所述测量阻抗的幅值的局部最值包括阻抗振幅局部最小值或阻抗振幅局部最大值。