[发明专利]一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及医疗测量领域，特别涉及一种测量脑部水肿变化的方法。

背景技术

在临床医学上，脑水肿(脑梗塞和脑出血)是近年国内发病率和死亡率均进入前三位的常见致死性病变。抢救是否及时，是挽救生命和减少后遗症的关键。临床脑水肿主要通过CT、常规磁共振(MRI)及MRI弥散加权成像(DWI)等方式检测，虽可准确判断瞬时脑水肿的范围和程度，在临床过程中，缺乏实时的水肿演变信息。由于CT的放射性，CT不能长期使用，是不适合用做临床监护。

近年研究表明，从脑出血开始到48小时以内，有大约30％-50％的病人的出血仍在继续。另外，出血48小时-72小时后，血肿周围的脑组织开始出现水肿，以后水肿继续发展数周，使神经细胞逐渐凋亡，所以，在脑水肿发生和发展的数周内的治疗与用药，是拯救病人和预后是否良好的关键。中国发明专利公开日为2003年5月28日，公开号为CN1419889A，发明创造名称为“无创临床监测颅内水肿的方法”，公开了一种无创临床监测颅内水肿的方法，诊断脑积水时，大多数医生利用头部CT或MRI扫描。另一方面，目前监测技术主要包括侵入性的方法，如颅内压监测，腰穿（LP），或使用在脑脊液中插入电极测量脑脊液阻抗。在这些程序中，一个洞是必需的，以评估颅内环境，有时LP可引起脑疝死亡。近日，基于医用超声技术的经颅超声（TCS）已经开发了无创性评估脑积水的技术，但是上述方法都没有提供24个小时床旁监护。

因此急需一种对脑部组织引起的水肿情况进行测量方法。

发明内容

有鉴于此，本发明所要解决的技术问题是提供一种对脑部组织引起的水肿情况进行测量方法。该方法根据不同脑组织阻抗拥有不同的电容量，通过测量脑部组织阻抗的变化可以表明大脑情况的变化。

本发明的目的是提出一种对脑部组织引起的水肿情况进行测量方法。

本发明的目的是这样实现的：

本发明提供的一种基于最小阻抗频率的脑部水肿变化测量方法，包括以下步骤：

S1：将测量电极通过传输线设置于被测脑部上；

S2：获取传输线的特性阻抗Z₀和传输线的长度l；

S3：通过发射电极向大脑发出电磁波，所述电磁波穿过大脑；

S4：通过接收电极接收改变后的电磁波，并输入到信号处理器进行数字处理；

S5：获取在距离l处的测量阻抗Z(l)；

S6：改变发射电极发出的电磁波的频率,判断测量阻抗Z(l)的幅值是否达到局部最值，如果是，则通过以下公式来计算：

ZL=Z0Z(l)-jZ0tan(kl)Z0-jZ(l)tan(kl),]]>

其中，Z_L是被测量的负载阻抗，Z₀是传输线的特性阻抗，Z(l)表示在距离l处的测量阻抗，是波数，ω是电磁波的角频率，μ是导磁系数，ε是介电常数，tan(kl)是周期函数；

S7：如果否，则重复步骤S6。

进一步，所述传输线采用1/4波长的光缆。

进一步，所述传输线的特性阻抗Z₀是通过以下步骤来进行测量的：在传输线两端施加可变频率的电压，当传输线阻抗达到最值时为传输线的特性阻抗Z₀。

进一步，所述测量阻抗Z(l)是通过以下步骤来进行测量的：通过改变发射电极的电压频率，当负载阻抗呈电容性且其电容达到最小值时，所获得的输入阻抗为测量阻抗Z(l)。