[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置无效
| 申请号： | 201210254735.8 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102790012A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘聖烈 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，属于液晶显示技术领域，用于以降低生产成本；该阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其中，所述第一透明电极的制作过程包括：形成金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜呈半导体特性；通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层。本发明实施例适用于液晶显示器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其特征在于，所述第一透明电极的制作过程包括：形成金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜呈半导体特性；通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分金属氧化物薄膜形成半导体有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
