[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

基于高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称ADS)的TFT-LCD凭借其低功耗、宽视角等特点，应用越来越广泛。ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

由于ADS型TFT-LCD中，公共电极也是制作在阵列基板上，因此在ADS型TFT-LCD的阵列基板制作工艺中需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。

目前，ADS型TFT-LCD阵列基板的制造过程中通常需要多次构图工艺，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。因此，减少构图工艺的次数就意味着能够降低制造成本。

现有技术中公开有通过六次构图工艺制造ADS型TFT-LCD阵列基板(如图1所示)的方法，该方法包括：

步骤1、沉积第一金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅线、栅电极11及公共电极线12。

步骤2、沉积第一绝缘薄膜，半导体薄膜、掺杂半导体薄膜，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层13、半导体有源层14(由半导体层和掺杂半导体层构成)。

步骤3、沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺形成板状的像素电极14’。

步骤4、沉积第二金属薄膜，通过第四次构图工艺形成源电极16、漏电极17和数据线。

步骤5、沉积第二绝缘薄膜形成钝化层18，通过第五次构图工艺形成贯穿钝化层18和栅绝缘层13的过孔，露出公共电极线12。

步骤6、沉积第二透明导电薄膜，通过第六次构图工艺形成具有狭缝的公共电极19，该公共电极19通过步骤5形成的过孔，与公共电极线12实现电连接。

这种方法需要6次构图工艺，制造成本仍然较高。为了增强市场竞争力，提高市场占有率，需要进一步减小阵列基板制造过程中构图工艺的次数。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，用以减少阵列基板制造过程中构图工艺的次数，降低生产成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其特征在于，所述第一透明电极的制作过程包括：

形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜呈半导体特性；

通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层。

一方面，提供一种由上述方法制得的阵列基板，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其特征在于，

所述薄膜晶体管的半导体有源层和所述第一透明电极是由同一金属氧化薄膜通过一次构图工艺形成的，形成所述第一透明电极的金属氧化物薄膜通过金属化处理，所述半导体有源层上设置有刻蚀阻挡层。

一方面，提供一种显示装置，包括由上述阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。