[发明专利]阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其特征在于，所述第一透明电极的制作过程包括：

形成金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜呈半导体特性；

通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分金属氧化物薄膜形成半导体有源层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造方法具体包括：

在形成有栅线、栅电极和栅绝缘层的基板上依次形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；

通过构图工艺对所述刻蚀阻挡层薄膜进行处理以形成覆盖TFT沟道区域的刻蚀阻挡层的图形；

对外露的金属氧化物薄膜进行金属化处理，形成具有导体特性的金属氧化物薄膜；所述刻蚀阻挡层下未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层；

通过构图工艺对所述具有导体特性的金属氧化物薄膜进行处理以形成第一透明电极，和与所述半导体有源层连接的源连接电极、漏连接电极；

在形成有所述半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形，其中，所述源电极与所述源连接电极电连接，所述漏电极与所述漏连接电极电连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

在形成有栅线、栅电极和栅绝缘层的基板上依次形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜之前，还包括：在基板上形成栅线、栅电极、公共电极线；再在所述基板、所述栅线、所述栅电极、所述公共电极线上形成栅绝缘层；

在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形，包括：在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成数据线、源电极、和与所述第一透明电极电连接的漏电极；再在形成有所述数据线、所述源电极和所述漏电极的基板上形成含有第一过孔的钝化层，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，露出所述公共电极线；再在所述钝化层上形成第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第一过孔和所述公共电极线电连接。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

在形成有栅线、栅电极和栅绝缘层的基板上依次形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜之前，还包括：在基板上形成栅线、栅电极、公共电极线、以及栅绝缘层；所述栅绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔用以连接所述第一透明电极与所述公共电极线；

在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形，包括：在形成有所述半导体有源层、所述刻蚀阻挡层和所述第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极和数据线；再在形成有所述数据线、所述源电极和所述漏电极的基板上形成含有第三过孔的钝化层，所述第三过孔贯穿所述钝化层，露出所述漏电极；在所述钝化层上形成第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第三过孔和所述漏电极电连接。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，具体包括：

通过等离子工艺或退火工艺对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极；或者，所述第一透明电极为公共电极。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜为InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO。

9.一种阵列基板，其特征在于，由上述权利要求1～8任一方法制得。

10.一种显示装置，所述显示装置包括上述权利要求9所述的阵列基板。