[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器在审
| 申请号： | 201210246618.7 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102883118A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 朴英桓;朴钟银;安正查;李相柱;张荣洽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种图像传感器包括被配置为将光信号转换为光电荷的第一光电二极管，被配置为存储第一光电二极管的光电荷的感测节点，以及被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号的电路。所述电路连接到至少第一导电接触件，并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：第一光电二极管，被配置为将光信号转换为光电荷；感测节点，被配置为存储第一光电二极管的光电荷；电路，被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号，并且该电路连接到至少第一导电接触件；以及输出线，布置在感测节点和第一导电接触件之间。
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