[发明专利]折线电阻器结构有效
| 申请号： | 201210244925.1 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103247618A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 颜孝璁;林佑霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种折线电阻器结构包括：在第一有源区上方形成的第一电阻器，其中，第一电阻器由串联连接的多个第一通孔形成；在第二有源区上方形成的第二电阻器，其中，第二电阻器由串联连接的多个第二通孔形成；以及在第二有源区上方形成的第三电阻器，其中，第三电阻器由串联连接的多个第三通孔形成。折线电阻器进一步包括连接于第一电阻器和第二电阻器之间的第一连接器。 | ||
| 搜索关键词： | 折线 电阻器 结构 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：衬底，包括多个有源区；第一电阻器，形成在第一有源区上方，其中，所述第一电阻器包括串联连接的多个第一通孔；第二电阻器，形成在第二有源区上方，其中，所述第二电阻器包括串联连接的多个第二通孔；第一连接器，连接于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间；以及第三电阻器，形成在所述第二有源区上方，其中，所述第三电阻器包括串联连接的多个第三通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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