[发明专利]一种基于SOI衬底的应变SiGe平面Si基BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种制备基于SOI衬底的应变SiGe平面Si基BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：SOI衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形成发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；在衬底上生长应变SiGe材料，形成NMOS和PMOS器件有源区，制备伪栅，自对准生成NMOS和PMOS器件的源漏区，去除伪栅，制备栅极，光刻引线，构成基于SOI衬底的应变SiGe平面Si基BiCMOS集成器件及电路；该方法充分利用了SiGe材料空穴迁移率高于普通Si材料的特点，制备出SOI SiGe BiCMOS集成电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。

主权项

一种基于SOI衬底的应变SiGe平面Si基BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件和PMOS器件均为应变SiGe MOS器件，双极器件为SOI双多晶SiGe HBT器件。