[发明专利]一种基于自对准工艺的三多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210244140.4 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102723361A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张鹤鸣;王斌;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王海栋;周春宇;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体集成电路技术领域，提供了一种基于自对准工艺的三多晶SOI SiGe HBT集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延，光刻浅槽隔离区域，制备浅槽隔离，刻蚀并磷离子注入，形成集电极接触区，依次淀积SiO2、P-Poly-Si、SiO2、氮化物，刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，淀积N型Poly-Si，再去除掉发射极和集电极以外的Poly-Si，形成HBT器件，最后构成基区厚度为20～60nm的HBT集成电路。本发明所提出的工艺方法与现有CMOS集成电路加工工艺兼容，因此，可以在资金和设备投入很小的情况下，制备出基于SOI的SiGeBiCMOS器件及集成电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对准 工艺 多晶 soi sige hbt 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于自对准工艺的三多晶SOI SiGe HBT集成器件，其特征在于，所述器件制备在SOI衬底上。
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