[发明专利]一种芯片设计中解决天线效应的方法有效
申请号: | 201210236253.X | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN102800667A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 李勇;潘亮;陈波涛 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种芯片设计中解决天线效应的方法和电路。某些芯片设计中需要采用有源屏蔽物理保护设计,其目的是为防止针对智能卡芯片的侵入式攻击。有源屏蔽层对需要物理修改、破坏芯片部分功能的攻击均有防御效果。有源屏蔽线采用顶层金属,其走线比较长,因此会带来严重的天线效应。采取传统的添加二极管的方法,往往会占用较大的芯片面积。本发明提出的方法是采用传输门结构的电路解决天线效应,电路结构简单,易于实现,而且采用此方法和电路,不会影响电路的功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 设计 解决 天线 效应 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片设计中解决天线效应的方法,其特征在于,该方法通过将有源屏蔽线接传输门电路的MOS管漏端,而不是gate端,避免了对MOS管栅极的破坏,同时有源屏蔽线上积累的电荷也不足以把传输门的junction击穿;另一方面,根据天线效应检查规则,此时面积消耗为0,解决天线效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中电华大电子设计有限责任公司,未经北京中电华大电子设计有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210236253.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种隔爆灯具静压测试连接工装
- 下一篇:一种食用真菌保健产品的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的