[发明专利]微机电系统薄片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210234964.3 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103523738A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 代丹;张新伟;周国平;夏长奉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种微机电系统薄片，包括硅衬底层、第一氧化层及第一薄膜层；所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；所述第一氧化层主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；所述第一薄膜层主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。上述微机电系统薄片中，通过在硅衬底层的背面依次层叠第一氧化层及第一薄膜层，有效保护了背面，防止其在进行微机电工艺过程中划伤。同时还提供了一种微机电系统薄片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 薄片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统薄片，其特征在于，包括：硅衬底层，包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；第一氧化层，其主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；第一薄膜层，其主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。
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