[发明专利]微机电系统薄片及其制备方法

权利要求书

1.一种微机电系统薄片，其特征在于，包括：

硅衬底层，包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；

第一氧化层，其主要成分为二氧化硅，形成于所述硅衬底层的背面；

第一薄膜层，其主要成分为氮化硅，形成于所述第一氧化层表面。

2.根据权利要求1所述的微机电系统薄片，其特征在于，还包括：

第二氧化层，形成于所述硅衬底层的正面。

3.根据权利要求2所述的微机电系统薄片，其特征在于，所述第一氧化层与第一薄膜层厚度的比值为3~4。

4.根据权利要求3所述的微机电系统薄片，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为400纳米，所述第一薄膜层的厚度为100纳米，所述第二氧化层的厚度为100纳米。

5.根据权利要求2所述的微机电系统薄片，其特征在于，还包括第二薄膜层，形成于所述第二氧化层表面，所述第二氧化层与所述第一氧化层厚度相同，所述第二薄膜层与所述第一薄膜层厚度相同。

6.一种微机电系统薄片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供硅衬底层，所述硅衬底层包括用于微机电工艺的正面及与所述正面相对的背面，所述正面及所述背面均为抛光面；

在所述硅衬底层背面通过热氧化生长出主要成分为二氧化硅的第一氧化层；

在所述第一氧化层上通过低压化学气相沉积的方法沉积制得主要成分为氮化硅的第一薄膜层。

7.根据权利要求6所述的微机电系统薄片制备方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述硅衬底层正面通过热氧化生长出主要成分为二氧化硅的第二氧化层。

8.根据权利要求7所述的微机电系统薄片制备方法，其特征在于，所述第一氧化层与第一薄膜层厚度的比值为3~4。

9.根据权利要求8所述的微机电系统薄片制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为400纳米，所述第一薄膜层的厚度为100纳米，所述第二氧化层的厚度为100纳米。

10.根据权利要求7所述的微机电系统薄片制备方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述第二氧化层上通过低压化学气相沉积的方法沉积制得主要成分为氮化硅的第二薄膜层，所述第二氧化层与所述第一氧化层厚度相同，所述第二薄膜层与所述第一薄膜层厚度相同。