[发明专利]基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺有效
| 申请号： | 201210234807.2 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102769087A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 殷录桥;翁菲;张建华;付美娟 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：n型金焊盘、p型焊盘，发光层、芯片衬底、通孔、绝缘层、通孔导柱、固晶层、基板、荧光层。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺，在芯片正负电极位置分别通过刻蚀技术(激光技术)制作通孔至衬底底面，并通过填充金属导柱至芯片背面，并在芯片衬底背面正负电极位置分别进行镀金（正负焊盘分隔开），在封装的时候直接通过固晶焊接就可以完成电极的连接，无需再进行金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 封装 技术 发光二极管 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于通孔封装技术的发光二极管，包括：p型电极通孔（1）、P型电流扩散层（2）、发光有源层（3）、n型电流扩展层（4）、蓝宝石衬底（5）、n型电极通孔（6）、绝缘层（8）、n型电极焊盘（7），p型电极焊盘（9）、基板线路层（10、11）、焊盘隔离槽（12）、陶瓷基板（13）；其特征在于：在芯片正负电极位置分别通过刻蚀技术或者激光技术制作通孔至蓝宝石衬底（5）底面，并通过填充金属导柱至芯片背面，即：p型电极通孔先做绝缘层再填充，然后与芯片衬底背面正负电极位置分别进行n型电极焊盘（7），p型电极焊盘（9）连接，其中n型电极焊盘（7），p型电极焊盘（9）分别通过共晶技术与陶瓷基板上的正负电极连接，荧光层（14）直接与芯片上表面粘结在一起；在封装的时候直接通过共晶技术在陶瓷基板上完成固晶，无需金丝键合。
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