[发明专利]沟槽场效应晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201210230387.0 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102738008A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽场效应晶体管的制作方法，包括以下步骤：在一半导体衬底中形成沟槽；在沟槽内壁和半导体衬底上表面沉积二氧化硅，并用包括N2O的气体进行退火，去除半导体衬底上表面的二氧化硅以在沟槽内形成栅氧；在半导体衬底上表面和栅氧表面上沉积多晶硅，去除半导体衬底上表面的多晶硅以在沟槽内形成栅极；对所述沟槽两侧的半导体衬底进行离子注入，形成源区。本发明的沟槽场效应晶体管在形成栅氧时，用N2O进行退火，由于N原子具有补偿栅氧表面的氧化物陷阱以及栅氧和硅的界面陷阱，减少栅氧表面悬挂键和栅氧与硅的界面态，降低界面应力，提高栅氧的抗击穿能力，从而降低沟槽场效应晶体管的漏电流，降低沟槽场效应晶体管的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体衬底中形成沟槽；在沟槽内壁和半导体衬底上表面沉积二氧化硅，并用包括N2O的气体进行退火，去除半导体衬底上表面的二氧化硅以在沟槽内形成栅氧；在半导体衬底上表面和栅氧表面上沉积多晶硅，去除半导体衬底上表面的多晶硅以在沟槽内形成栅极；对所述沟槽两侧的半导体衬底进行离子注入，形成源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
